二維原子晶體可以從根本上改變其性能，以響應外部影響（例如襯底方向或應變），從而形成具有新穎電子結構的材料。例如，雙層石墨烯中由于兩層方向之間的“魔角“而產生的弱色散的“扁平”帶。這些平坦帶中的猝滅動能促進了電子與電子的相互作用，并促進了強相關相的出現，例如超導性和相關絕緣體。然而，雙扭曲層石墨烯中獲得魔角所需非常精確的微調，對制造和可擴展性提出了挑戰(zhàn)。在這里，我們提出了一種不涉及微調的扁平帶制備方法。使用掃描隧道顯微鏡和光譜學以及數值模擬，我們證明了放置在原子平坦基板上的石墨烯單分子層可能會被迫經歷屈曲轉變，從而產生周期性調制的偽磁場，進而產生“后磁化”，另一方面產生了平坦電子帶的石墨烯材料。當我們使用靜電摻雜將費米能級引入到這些平帶中時，我們觀察到態(tài)密度中偽間隙狀耗盡，這標志著相關態(tài)的出現。二維晶體的這種屈曲為創(chuàng)建其他超晶格系統(tǒng)提供了一種策略，尤其是探索了平坦帶特有的相互作用現象。
Fig. 1 石墨烯薄膜中的彎曲結構。
Fig. 2 彎曲石墨烯中的偽朗道能級量子化和亞晶格極化。
Fig. 3 在帶扣石墨烯中的模擬LDOS。
Fig. 4 平坦帶和LDOS地圖。
Fig. 5 扁平帶扣的G/hBN。
相關研究成果于2020年由美國羅格斯大學Eva Y. Andrei課題組，發(fā)表在Nature(https://doi.org/10.1038/s41586-020-2567-3)上。原文：Evidence of flat bands and correlated states in buckled graphene superlattices。
摘自《石墨烯雜志》公眾號：
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