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澳門大學Shi Chen課題組--單層石墨烯覆蓋的TiO2上生長無機鈣鈦礦薄膜于高性能太陽能電池
      二維材料已被廣泛用于調節鈣鈦礦的生長和能級排列。但其鈍化不完全、用量混亂,不利于制備高質量的鈣鈦礦薄膜。在這里,通過引入大面積單層石墨烯作為 TiO2 基底頂部的穩定物理覆蓋層,成功獲得了更高質量的 CsPbBr3 薄膜。受益于惰性和         原子光滑的石墨烯表面,通過范德華外延生長在頂部的CsPbBr3薄膜具有更高的結晶度、改善的(100)取向以及高達1.22μm的平均域尺寸。同時,在石墨烯/鈣鈦礦界面處觀察到強烈的向下能帶彎曲,改善了電子傳輸層(ETL)的電子提取。因此,在石墨烯上生長的鈣鈦礦薄膜具有較低的光致發光(PL)強度、較短的載流子壽命和較少的缺陷。最終,制備了基于外延CsPbBr3薄膜的光伏器件,其功率轉換效率(PCE)高達10.64%,并且在空氣中穩定性超過2000小時。

  
Fig 1.  a) TiO2/FTO上石墨烯的拉曼光譜; b) TiO2/FTO 和 G/TiO2/FTO 上 CsPbBr3 的 XRD 圖譜和半高寬; c) CsPbBr3薄膜的(100)、(110)和(211)面的強度; d) 鈣鈦礦示意圖; e) 鈣鈦礦的俯視SEM圖像; f) G/TiO2/FTO 和 TiO2/FTO 上鈣鈦礦的橫截面 SEM 圖像。

   
Fig 2. a) TiO2可能存在的缺陷及石墨烯對鈣鈦礦生長的篩選效果示意圖; b) 鈣鈦礦在G/TiO2/FTO和TiO2/FTO上的吸附能(Eads); c) G/TiO2/FTO 和 d) TiO2/FTO 的 AFM 圖像; e) 鈣鈦礦在G/TiO2/FTO和TiO2/FTO上的成核和生長過程。

   
Fig 3. a) TiO2/FTO 和 G/TiO2/FTO 的 WF; b) CsPbBr3在TiO2/FTO和G/TiO2/FTO上的功函數(WF)和價帶最大值(VBM); c) 鈣鈦礦和ETL界面的能帶結構;所制備的鈣鈦礦薄膜的 d) PL、e) TRPL 和 f) SCLC。

  
Fig 4. a) 鈣鈦礦太陽能電池結構示意圖; b)J-V 曲線,c)PCE 分布,d)MPP 和 e)含石墨烯和不含石墨烯的鈣鈦礦太陽能電池在空氣中的穩定性。
 
        相關研究工作由澳門大學Shi Chen課題組應用于2023年在線發表在《Energy & Environmental Materials》期刊上,High-Quality van der Waals Epitaxial CsPbBr3 Film Grown on Monolayer Graphene Covered TiO2 for High-Performance Solar Cells。
       原文鏈接:https://doi.org/10.1002/eem2.12680

摘自《石墨烯研究》公眾號

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