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吉倉低壓CVD石墨烯生長設備

吉倉低壓CVD石墨烯生長設備

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主要特點:
  此款設備以開啟式真空管式爐為基礎開發而來,操作時可將實驗需要的恒定高溫直接推到樣品處,使樣品能得到一個快速的升溫速度,同樣也可將高溫的管式爐直接推離樣品處,使樣品直接暴露在室溫環境下,得到快速的降溫速率。并可選配氣氛微調裝置,可準確的控制反應腔體內部的氣體壓力,帶刻度的調節閥對于做低壓CVD非常簡單實用,工藝重復性好, 這款設備對于石墨烯生長工藝非常合適,也同樣適用于要求快速升降溫的CVD實驗。

雙溫區滑軌式真空管式爐JC-1200C -SL
額定功率:5kw
最高溫度:1200℃
工作溫度:1100℃
最大升降溫速率:10℃/min
爐管:高純度石英管Φ50x1400mm(可根據要求設計)
加熱區長度:200+200mm
恒溫區長度:290mm
控溫方式:模糊PID控制和自整定調節,智能化30段可編程控制,具有超溫和斷偶報警功能
供氣系統
標準量程(N2):50sccm(CH4)、200sccm(H2)、500sccm(Ar);(可根據用戶要求定制)
準確度:±1.5%
線性:±0.5~1.5%
重復精度:±0.2%
響應時間:氣特性:1~4 Sec,電特性:10 Sec
工作壓差范圍:0.1~0.5 MPa
最大壓力:3MPa
連接頭類型:雙卡套不銹鋼接頭Φ6。
 
真空機組
空氣相對濕度≤85%,
工作電電壓:220V±10%  50~60HZ
功率:1千瓦
抽氣速率:4L\s
極限真空:4X10-2Pa
實驗真空度:1.0X10-1Pa
容油量:1.1L
進氣口口徑:KF25
排氣口口徑:KF25
轉速:1450rpm
噪音:50dB


 
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