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Graphenea石墨烯場效應晶體管mGFET-4P

4*4芯片,用于傳感應用,也與液體介質中的測量兼容。


·生長方法:CVD合成
·聚合物輔助轉移
·模具尺寸:4 mm x 4 mm
·切屑厚度:525μm
·每個芯片的通道數:28
·柵極氧化物厚度:90 nm
·柵極氧化物材料:SiO2
·襯底電阻率:1-10Ω·cm
·金屬化:Au觸點
·封裝:200 nm基于谷氨酰胺的聚合物
·石墨烯場效應遷移率:>1000 cm2/V.s
·狄拉克點(PBS中的液體門控):<1 V
·收益率:>75%

資料下載:Graphenea mGFET_4x4P (www.wzfhwl.com)

價格:6000元/盒,4片/盒
jc@www.wzfhwl.com
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